Samsung ha desarrollado una tecnología de proceso de 8 nanómetros (nm) para chips de radiofrecuencia (RF). La novedad se considera un gran impulso para la potencia y la eficiencia de las comunicaciones 5G.
El proveedor explica que su división de fundición ha trabajado en aplicar la tecnología de 8 nm a la creación de un chip único que se pueda utilizar en los diseños de antenas multicanal y multichip para las redes 5G.
Según la firma, el hallazgo refuerza su “liderazgo” en el mercado de los semiconductores para 5G, desde las aplicaciones sub-6GHz hasta las mmWave.
Samsung asegura que la extensión de la plataforma de RF de 8 nm proporciona hasta un 35% de aumento en la eficiencia energética y la misma reducción en el área lógica respecto a su solución de RF de 14 nm. La compañía también tiene chips de 28 nm y afirma haber despachado 500 millones de chips de RF para teléfonos inteligentes premium desde 2017.
Samsung considera que sus continuos avances en los nodos han mejorado el rendimiento, el consumo de energía y el tamaño de los circuitos digitales en comparación con los bloques analógicos y de RF, pero esto último había perjudicado el rendimiento de la amplificación de la frecuencia de recepción, junto con un mayor consumo de energía.
Para superar estos desafíos, Samsung ha creado una arquitectura dedicada para 8nm que “puede mejorar significativamente la RF consumiendo menos energía”.
Según Hyung Jun Lee, responsable de desarrollo de tecnologías de fundición, asegura que a medida que crezca el uso de 5G sobre mmWave, “la RF de 8 nm de Samsung será una gran solución para los clientes que buscan dispositivos móviles compactor con una larga duración de la batería y una excelente calidad de señal”.
Este nuevo desarrollo de Samsung se suma a un impulso reciente en torno a su negocio de semiconductores: en marzo reveló que destinará 17.000 millones de dólares a incrementar la producción de chips en una de sus plantas en los EE. UU.
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